一、校準前期準備
器材準備
高精度標準水銀溫度計 / 熱電偶測溫儀(精度 0.1℃)、適配燒杯、導熱硅油、攪拌子、純水；確認設(shè)備盤面無污漬、腐蝕，加熱板無變形，溫度傳感器無脫落。
環(huán)境要求
磁力加熱攪拌器放置在通風、無冷風直吹臺面，遠離空調(diào)、門窗；設(shè)備水平擺放，避免傾斜導致局部受熱不均；開機空載預熱 10 分鐘，消除冷機溫差。
安全前提
校準介質(zhì)選用導熱硅油(適配高溫)或純水(≤90℃低溫校準)，禁止易燃低沸點溶劑；全程佩戴隔熱手套，防止高溫燙傷。
二、低溫區(qū)間校準(室溫～90℃，純水介質(zhì))
燒杯加入 2/3 容量純水，放入攪拌子置于加熱盤面中心，開啟低速攪拌保證水體溫度均勻。
標準測溫探頭浸入水中，不可觸碰燒杯壁與盤面，懸空放置在水體中部。
依次設(shè)定目標溫度：40℃、60℃、80℃，每一檔位等待 15 分鐘，待儀器顯示溫度穩(wěn)定不再跳動。
記錄儀器顯示值與標準測溫儀實測值，計算溫差：溫差>±2℃則需要進行內(nèi)部參數(shù)修正。
三、高溫區(qū)間校準(90℃～300℃，導熱硅油介質(zhì))
更換導熱硅油作為傳熱介質(zhì)，防止純水沸騰汽化造成測溫誤差，攪拌保持勻速循環(huán)。
分檔位設(shè)定 120℃、180℃、250℃三個校準點，每個溫度點靜置 20 分鐘，高溫熱傳導慢，需充分熱平衡。
對比盤面顯示溫度與熱電偶實測油溫，記錄高低溫段溫漂數(shù)值；高溫下加熱盤散熱快，普遍存在顯示偏高現(xiàn)象。
四、設(shè)備內(nèi)部參數(shù)修正(溫差超標時操作)
短按設(shè)備校準功能鍵進入補償模式，依據(jù)實測差值設(shè)置補償量：
儀器顯示>實際溫度：下調(diào)負補償值；
儀器顯示<實際溫度：上調(diào)正補償值。
修改補償參數(shù)后，維持當前溫度運行 10 分鐘復測，反復微調(diào)直至溫差控制在 ±0.5℃以內(nèi)。
保存校準參數(shù)，退出校準模式，重啟設(shè)備驗證全部溫度檔位。
五、單點盤面溫差校準(多點測溫，消除局部加熱不均)
同一燒杯分別放置加熱盤中心、左、右、前、后五個位置，同一設(shè)定溫度下分別記錄溫度。
若盤面各點溫差超過 1.5℃，說明加熱絲老化、受熱不均：輕微偏差可實驗時固定放置容器于盤面中心；偏差過大需更換加熱面板。
六、外置傳感器(外置測溫探頭款)專項校準
將配套 PT100 溫度探頭浸入介質(zhì)，與標準測溫儀并排放置。
區(qū)分兩種校準邏輯：
1)盤面控溫：校準加熱板本體溫度；
2)探頭控溫：以液體實際溫度為基準校準，實驗優(yōu)先選用探頭控溫模式，精度更高。
探頭表面結(jié)垢、涂層破損會大幅降低精度，校準前擦拭干凈探頭外壁。
七、校準后驗證與記錄
全檔位復測低溫、高溫各校準點，連續(xù)兩次數(shù)據(jù)一致代表校準完成。
填寫校準記錄：校準日期、環(huán)境溫度、各檔位誤差、補償參數(shù)、操作人員，留存?zhèn)洳椤?br />
貼校準合格標識，注明下次校準周期。
八、校準周期與注意事項
校準周期
常規(guī)實驗室：每 3 個月校準一次；
高精度合成、微量分析實驗：每月校準；
設(shè)備磕碰、更換加熱盤、傳感器后，必須立刻重新校準。
操作禁忌
禁止空盤高溫校準，無介質(zhì)會造成溫度嚴重漂移，損壞加熱組件；
測溫探頭不可緊貼金屬盤面，金屬導熱快會導致讀數(shù)虛高；
磁力加熱攪拌器校準過程不得開窗吹風、觸碰設(shè)備機身，干擾熱平衡；
強酸強堿灑落盤面后先清潔烘干，再開展溫控校準，腐蝕會持續(xù)影響測溫精度。
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